[发明专利]钽溅射靶及其制造方法以及使用该靶形成的半导体布线用阻挡膜有效
| 申请号： | 201380015330.1 | 申请日： | 2013-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN104204282B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 永津光太郎;仙田真一郎 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22F1/18;C23C14/14;H01L21/28;H01L21/285;C22F1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 王海川,穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种钽溅射靶，其特征在于，靶的平均晶粒尺寸为50μm以上且200μm以下，并且靶面内的晶粒尺寸的偏差为40％以上且60％以下。本发明的课题在于提供一种钽溅射靶，其能够提高膜厚的均匀性(uniformity)，并且减小膜的电阻值(薄层电阻)的偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 以及 使用 形成 半导体 布线 阻挡 | ||
【主权项】：
一种钽溅射靶，其特征在于，靶的平均晶粒尺寸为50μm以上且小于70μm、大于102μm且200μm以下，并且靶面内的晶粒尺寸的偏差为40％以上且50％以下，晶粒尺寸的偏差如下求出：测定靶面内五个位置处的晶粒尺寸，计算其平均值和标准偏差，并求出偏差＝标准偏差/平均值×100，所述偏差为百分比偏差。
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