[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置(10)，包括层叠结构(100)，所述层叠结构(100)包括具有第一接合部(151、153)和第二接合部(152、154)的双接合结构，在第一接合部(151、153)处宽带隙层(102、104)和窄带隙层(101、103、105)彼此层叠，在第二接合部(152、154)处窄带隙层(101、103、105)和宽带隙层(102、104)彼此层叠；以及接合至层叠结构中的每一层的电极半导体层(110、120)。每个双接合结构均包括由具有负固定电荷的第一区(131、133)和具有正固定电荷的第二区(132、134)构成的对。第一区较靠近第一接合部而较不靠近宽带隙层的中心。第二区较靠近第二接合部而较不靠近宽带隙层的中心。在每个接合部处均形成2DEG或2DHG。半导体装置用作电能存储设备例如电容器。

主权项

一种半导体装置，包括：层叠结构(100；200；300；400)，其中交替地层叠有至少一个窄带隙层和至少一个宽带隙层，所述至少一个窄带隙层由与沿第一方向或与所述第一方向相反的方向与所述窄带隙层相邻的层的材料相比具有较窄的带隙的材料形成，所述至少一个宽带隙层由与沿所述第一方向或与所述第一方向相反的方向与所述宽带隙层相邻的层的材料相比具有较宽的带隙的材料形成，所述层叠结构(100；200；300；400)包括至少一个双接合结构，所述双接合结构具有第一接合部和第二接合部，在所述第一接合部处所述宽带隙层和所述窄带隙层沿所述第一方向依次层叠并彼此接合，在所述第二接合部处所述窄带隙层和所述宽带隙层沿所述第一方向依次层叠并彼此接合，并且所述至少一个双接合结构中的每一个均包括至少一个由具有负固定电荷的第一区和具有正固定电荷的第二区构成的对；第一导电型的第一电极半导体层(110；210；310；410)，所述第一电极半导体层(110；210；310；410)沿与所述第一方向相交的第二方向延伸并且接合至所述层叠结构(100；200；300；400)中的每一个窄带隙层和所述层叠结构(100；200；300；400)中的每一个宽带隙层；以及第二导电型的第二电极半导体层(120；220；320；420)，所述第二电极半导体层(120；220；320；420)沿与所述第一方向相交的第三方向延伸并且接合至所述层叠结构(100；200；300；400)中的每一个窄带隙层和所述层叠结构(100；200；300；400)中的每一个宽带隙层，其中所述第一区沿所述第一方向较靠近所述第一接合部而较不靠近所述宽带隙层的中心位置，并且所述第二区沿所述第一方向较靠近所述第二接合部而较不靠近所述宽带隙层的中心位置，其中所述半导体装置还包括：第三区，所述第三区设置在设置于所述至少一个双接合结构中之一中的所述第一区与所述第二区之间，或者所述第三区设置在设置于所述至少一个双接合结构中的两个相互相邻的双接合结构中之一中的所述第一区与设置在所述至少一个双接合结构中的所述两个相互相邻的双接合结构中另一个中的所述第二区之间，与所述第一区和所述第二区相比所述第三区具有较低浓度的所述正固定电荷或所述负固定电荷。