[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201380014309.X 申请日: 2013-04-16
公开(公告)号: CN104380470B 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: 井口研一 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/861;H01L29/868
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 宋俊寅
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在配置成以使得包围半导体芯片(100)的背面的凹部(103)的大致矩形环状的肋部(101)形成排气用的槽(105)。槽(105)采用在肋部(101)的各边或各隅角从肋部(101)的内周到外周横切的形状。另外,槽(105)的深度与芯片背面的凹部(103)的深度相同或者比其浅。由此,能够将在半导体芯片(100)的背面设置凹部(103)且在该凹部(103)的外周具有肋部(101)的半导体装置可靠地焊接于基底基板,而不会使得设置于凹部(103)的漏电极产生空隙不良。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括:设置于半导体基板的表面的、用于使电流在所述半导体基板的厚度方向流动的元件结构;与所述元件结构相对且设置于所述半导体基板的背面的凹部;设置于所述凹部的外周、构成该凹部的侧壁的、且厚度比所述半导体基板的形成有所述凹部的部分要厚的肋部;以及多个槽,该多个槽设置于所述肋部,从该肋部的内周到外周横切该肋部,使得所述槽的相对的侧壁中的靠近所述肋部的隅角一侧的侧壁相对于另一个侧壁倾斜,使所述槽的宽度从所述肋部的内周朝向外周扩大。
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