[发明专利]高频CMUT在审
申请号: | 201380011962.0 | 申请日: | 2013-03-15 |
公开(公告)号: | CN104160721A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | S·阿德勒;P·约翰逊;I·O·伍感特 | 申请(专利权)人: | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
主分类号: | H04R19/00 | 分类号: | H04R19/00;A61B8/00;G01N29/24 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种高频电容性微加工超声换能器(CMUT)(300)具有硅膜(320)以及上覆的金属硅化物层(326),它们一起形成能够在腔(322)上方振动的导电结构。CMUT还具有金属结构(330),其接触一组导电结构。金属结构具有开口(334),其完全延伸穿过金属结构以暴露导电结构。 | ||
搜索关键词: | 高频 cmut | ||
【主权项】:
一种换能器结构,其包括:衬底,其具有导电类型和表面区域;柱状结构,其接触所述衬底,所述柱状结构具有顶部表面且为非导电的;第一导电结构,其接触所述柱状结构的所述顶部表面,所述第一导电结构具有顶部表面,且位于所述衬底的所述表面区域上方并与之间隔开,所述第一导电结构的所述顶部表面具有中央区域以及环绕的外围区域;以及第二导电结构,其接触所述第一导电结构的所述外围区域,所述第二导电结构具有开口,所述开口完全延伸穿过所述第二导电结构,以暴露所述第一导电结构的所述顶部表面的所述中央区域。
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