[发明专利]高频CMUT

权利要求书

1.一种换能器结构，其包括：

衬底，其具有导电类型和表面区域；

柱状结构，其接触所述衬底，所述柱状结构具有顶部表面且为非导电的；

第一导电结构，其接触所述柱状结构的所述顶部表面，所述第一导电结构具有顶部表面，且位于所述衬底的所述表面区域上方并与之间隔开，所述第一导电结构的所述顶部表面具有中央区域以及环绕的外围区域；以及

第二导电结构，其接触所述第一导电结构的所述外围区域，所述第二导电结构具有开口，所述开口完全延伸穿过所述第二导电结构，以暴露所述第一导电结构的所述顶部表面的所述中央区域。

2.根据权利要求1所述的换能器结构，其中所述第二导电结构接触所述柱状结构的所述顶部表面。

3.根据权利要求2所述的换能器结构，其中所述第二导电结构具有顶部表面，所述第二导电结构的所述顶部表面具有键合焊盘区域。

4.根据权利要求2所述的换能器结构，其中所述第一导电结构包括硅膜和金属硅化物板，所述金属硅化物板接触所述硅膜并上覆所述硅膜。

5.根据权利要求2所述的换能器结构，其进一步包括非导电结构，所述非导电结构接触所述衬底的所述表面区域。

6.根据权利要求5所述的换能器结构，其进一步包括真空密封腔，所述真空密封腔位于所述硅膜与所述非导电结构之间，且接触所述硅膜和所述非导电结构。

7.根据权利要求2所述的换能器结构，其进一步包括：

金属硅化物焊盘，其接触所述衬底；以及

导电键合焊盘，其接触所述金属硅化物焊盘，所述柱状结构接触所述导电键合焊盘的一部分并水平环绕该部分。

8.根据权利要求2所述的换能器结构，其进一步包括钝化结构，所述钝化结构接触所述第二导电结构，所述钝化结构具有开口，所述开口暴露所述第一导电结构的所述中央区域。

9.根据权利要求2所述的换能器结构，其进一步包括导电键合焊盘，所述导电键合焊盘接触所述衬底的底部表面。

10.根据权利要求2所述的换能器结构，其中所述柱状结构横向环绕所述表面区域。

11.一种形成换能器结构的方法，其包括：

形成接触衬底的柱状结构，所述柱状结构具有顶部表面且为非导电的，所述衬底具有导电类型和表面区域；

形成第一导电结构，其接触所述柱状结构的所述顶部表面，所述第一导电结构具有顶部表面，且位于所述衬底的所述表面区域上方并与之间隔开，所述第一导电结构的所述顶部表面具有中央区域以及环绕的外围区域；以及

形成第二导电结构，其接触所述第一导电结构的所述外围区域，所述第二导电结构具有开口，所述开口完全延伸穿过所述第二导电结构，以暴露所述第一导电结构的所述顶部表面的所述中央区域。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二导电结构接触所述柱状结构的所述顶部表面。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成第一导电结构包括：

刻蚀接触所述柱状结构的衬底结构以形成膜；以及

使所述膜硅化，以形成所述第一导电结构。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一导电结构包括硅膜和金属硅化物板，所述金属硅化物板接触所述硅膜并上覆所述硅膜。

15.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括形成非导电结构，所述非导电结构接触所述衬底的所述表面区域。

16.根据权利要求15所述的方法，其中真空密封腔位于所述硅膜与所述非导电结构之间，且接触所述硅膜和所述非导电结构。

17.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：

形成接触所述衬底的金属硅化物焊盘；以及

形成接触所述金属硅化物焊盘的导电键合焊盘，所述柱状结构接触所述导电键合焊盘的一部分并且水平环绕该部分。

18.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括形成接触所述第二导电结构的钝化结构，所述钝化结构具有开口，所述开口暴露所述第一导电结构的所述中央区域。

19.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括形成接触所述衬底的底部表面的导电键合焊盘。

20.根据权利要求12所述的方法，其中所述柱状结构横向环绕所述表面区域。