[发明专利]半导体装置、显示装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201380005139.9 | 申请日： | 2013-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN104040416B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 藤田哲生;原义仁;中田幸伸 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具备薄膜晶体管(101)；端子部(102)；包括与漏极电极(11d)的表面接触的第一绝缘层(12)的层间绝缘层(14)；在层间绝缘层(14)之上形成的第一透明导电层(15)；第一电介质层(17)；和第二透明导电层(19a)，端子部(102)具备下部导电层(3t)；配置在栅极绝缘层(5)上的第二半导体层(7t)；下部透明连接层(15t)；和上部透明连接层(19t)，栅极绝缘层(5)和第二半导体层(7t)具有接触孔(CH2)，栅极绝缘层(5)和第二半导体(7t)的接触孔(CH2)侧的侧面对齐，下部透明连接层(15t)在接触孔(CH2)内与下部导电层(3t)接触，上部透明连接层(19t)在接触孔(CH2)的底面和侧壁与下部透明连接层(15t)接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具备：基板；和被所述基板支承的薄膜晶体管、栅极配线层、源极配线层和端子部，所述栅极配线层包括：栅极配线；所述薄膜晶体管的栅极电极；和所述端子部的下部导电层，所述源极配线层包括：源极配线；和所述薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，所述薄膜晶体管具有：所述栅极电极；在所述栅极电极之上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层之上形成的、包含氧化物半导体的第一半导体层；至少覆盖所述第一半导体层的沟道区域的保护层；所述源极电极；和所述漏极电极，所述半导体装置的特征在于，还具备：在所述源极电极和所述漏极电极之上形成的、至少包含与所述漏极电极的表面接触的第一绝缘层的层间绝缘层；在所述层间绝缘层之上形成的第一透明导电层；在所述第一透明导电层上形成的第一电介质层；和在所述第一电介质层上，以隔着所述第一电介质层与所述第一透明导电层的至少一部分重叠的方式形成的第二透明导电层，所述端子部具备：所述下部导电层；在所述下部导电层上延伸设置的所述栅极绝缘层；配置在所述栅极绝缘层上，与所述第一半导体层由相同的半导体膜形成的第二半导体层；与所述第一透明导电层由相同的导电膜形成的下部透明连接层；和配置在所述下部透明连接层上，与所述第二透明导电层由相同的导电膜形成的上部透明连接层，所述栅极绝缘层和所述第二半导体层具有接触孔，所述栅极绝缘层的所述接触孔侧的侧面和所述第二半导体层的所述接触孔侧的侧面对齐，所述下部透明连接层形成在所述接触孔内和所述第二半导体层上，在所述接触孔内与所述下部导电层接触，所述上部透明连接层在所述接触孔的底面和侧壁与所述下部透明连接层接触。
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