[发明专利]半导体晶片的正向电压偏差减少方法

摘要

本发明提供一种正向电压的偏差减少方法，其为减少如下的半导体晶片的正向电压Vf的偏差的方法，所述半导体晶片为N型的半导体晶片，并且在俯视观察半导体晶片时N层中所含有的杂质的密度存在偏差。本说明书所公开的正向电压偏差减少方法为，向N型的半导体晶片照射带电粒子，从而在N层中生成缺陷以减少正向电压的偏差的方法。其中一个方式为，以在俯视观察半导体晶片时根据N层的杂质的密度而使深度方向上的到达位置或照射密度不同的方式，照射带电粒子。例如，以向半导体晶片的中央区域照射的带电粒子的晶片深度方向上的到达位置，与向半导体晶片的边缘区域照射的带电粒子的到达位置相比，较靠近于P型半导体层的方式，照射带电粒子。

主权项

一种正向电压的偏差减少方法，其为减少如下的半导体晶片的正向电压的偏差的方法，所述半导体晶片为含有与点缺陷相结合的杂质的N型的半导体晶片，并且在俯视观察半导体晶片时该杂质的密度存在偏差，所述正向电压的偏差减少方法的特征在于，以向在俯视观察半导体晶片时以第一密度含有杂质的第一区域照射的带电粒子的照射密度，低于向以低于第一密度的第二密度含有杂质的第二区域照射的带电粒子的照射密度的方式，照射带电粒子，从而使点缺陷与杂质相结合而形成的复合缺陷的偏差与照射前相比减小。