[实用新型]精密多晶硅电阻器结构及集成电路

摘要

本实用新型的实施例公开了一种精密多晶硅电阻器结构及集成电路。使用替换金属栅极(RMG)工艺提供用于与金属栅极晶体管并排创建精密多晶硅电阻器的机会。在形成牺牲多晶硅栅极期间，多晶硅电阻器也可以从相同多晶硅膜形成。可以略微凹陷多晶硅电阻器，使得保护绝缘层可以在用金属栅极随后替换牺牲栅极期间覆盖电阻器。使用这样的工艺来制作的精密多晶硅电阻器的最终结构比为具有金属栅极晶体管的集成电路提供金属电阻器的现有结构更紧凑并且复杂性更少。另外，可以通过向多晶硅膜注入掺杂物、调整多晶硅膜厚度或者二者来自由调节精密多晶硅电阻器至具有所需薄片电阻。

主权项

一种精密多晶硅电阻器结构，其特征在于，包括：具有上表面的硅衬底；在所述硅衬底中形成的隔离场，所述隔离场由与金属栅极晶体管接触并且相邻的氧化物填充，所述氧化物相对于所述硅衬底的所述上表面凹陷；精密多晶硅电阻器，覆盖在填充的隔离场上面并且与填充的隔离场接触；绝缘材料，覆盖所述多晶硅电阻器并且与所述多晶硅电阻器接触；层间电介质；以及一个或者多个金属塞，其穿透所述层间电介质以在金属‑多晶硅结处与所述多晶硅电阻器形成欧姆接触。