[实用新型]一种LED外延结构有效
| 申请号： | 201320797641.5 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN203617330U | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 南琦;吴岳 | 申请（专利权）人： | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陆明耀;陈忠辉 |
| 地址： | 215021 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种LED外延结构，自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及p型接触层；所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成，所述MQW发光层包括由AlGaN/n-GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层。本实用新型的有益效果主要体现在：可有效提高MQW晶格质量，大幅增加有源层中每个量子阱的电子或空穴的俘获几率，有效降低器件Droop负效应影响，提高LED器件的内量子效率的目的，可很好的应用在高功率器件中，并保持器件的高光效值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种LED外延结构，自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及p型接触层；其特征在于：所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成，所述MQW发光层包括由AlGaN/n‑GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层。
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