[实用新型]一种LED外延结构有效
| 申请号： | 201320797641.5 | 申请日： | 2013-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN203617330U | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 南琦;吴岳 | 申请（专利权）人： | 苏州新纳晶光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陆明耀;陈忠辉 |
| 地址： | 215021 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED外延结构，自下而上依次包括：衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、n型GaN层、有源层、p型GaN层以及p型接触层；其特征在于：所述有源层具有由至少两对MQW发光层组成，所述MQW发光层包括由AlGaN/n-GaN交替堆叠组成的超晶格量子垒层及由InGaN构成的量子阱层。
2.如权利要求1所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述发光层总对数为3-40对。
3.如权利要求2所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述超晶格量子垒层中AlGaN/n-GaN交替堆叠的对数大于1且小于等于100。
4.如权利要求3所述的一种LED外延结构，其特征在于：所述衬底为蓝宝石、碳化硅、硅、锗、氮化镓、氮化铝镓或氮化铝。
5.如权利要求4所述的一种LED外延结构，其特征在于：每对所述MQW发光层中的AlGaN层厚度变化范围为0.1nm至40nm，所述n-GaN层厚度变化化范围为0.3nm至120nm。
6.如权利要求5所述的一种LED外延结构，其特征在于：每对所述MQW发光层中的AlGaN与相应的n-GaN层的厚度比例为1:5-1:1之间。
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