[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320675635.2 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN203910785U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | A.毛德;U.瓦尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马丽娜;王洪斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件，其包括：补偿区，其包括p区和n区；位于所述补偿区上的包括栅电极的晶体管单元，所述栅电极被栅极电介质包围；以及布置在栅极电介质上的栅极金属化层。所述半导体器件还包括填满穿过栅电极和栅极金属化层之间的栅极电介质形成的接触孔的插塞，以便电连接栅电极和栅极金属化层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：补偿区，其包括p区和n区；位于所述补偿区上的包括栅电极的晶体管单元，所述栅电极被栅极电介质包围；以及布置在栅极电介质上的栅极金属化层，其特征在于，所述半导体器件还包括填满穿过栅电极和栅极金属化层之间的栅极电介质形成的接触孔的插塞，以便电连接栅电极和栅极金属化层。
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