[实用新型]具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路

摘要

本实用新型公开了一种具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，包括：上位功率管M1驱动电路和下位功率管M2驱动电路，上位功率管M1驱动电路包括：自举供电线路、上位推挽驱动线路、上位负压生成线路和上位保护线路；下位功率管M2驱动电路包括：低压直流稳压电源、下位推挽驱动线路、下位负压生成线路和下位保护线路；本实用新型有益效果：解决了传统自举供电基础上难以实现负电压关断问题，以及传统负压不够稳定，随着功率增大负压减小的问题；既保证了线路的简洁性，又能保证功率管的可靠关断。

主权项

一种具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，包括：上位功率管M1驱动电路和下位功率管M2驱动电路，其特征是，上位功率管M1驱动电路包括：自举供电线路、上位推挽驱动线路、上位负压生成线路和上位保护线路；自举供电线路、上位推挽驱动线路和上位保护线路依次串联连接，上位负压生成线路与自举供电线路、上位推挽驱动线路和上位功率管M1分别连接；所述上位负压生成线路产生功率管关断时所需负压，所述上位负压生成线路的电压大小随主功率的增大而增加，所述电压大小可超过低压直流稳压电源供电电压；上位功率管M1导通时不经过上位负压生成线路的电容；下位功率管M2驱动电路包括：低压直流稳压电源、下位推挽驱动线路、下位负压生成线路和下位保护线路；直流稳压电源、下位推挽驱动线路和下位保护线路依次串联连接，下位负压生成线路并联接入下位推挽驱动线路和下位功率管M2之间。