[实用新型]具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路

权利要求书

1.一种具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，包括：上位功率管M₁驱动电路和下位功率管M₂驱动电路，其特征是，

上位功率管M₁驱动电路包括：自举供电线路、上位推挽驱动线路、上位负压生成线路和上位保护线路；自举供电线路、上位推挽驱动线路和上位保护线路依次串联连接，上位负压生成线路与自举供电线路、上位推挽驱动线路和上位功率管M₁分别连接；所述上位负压生成线路产生功率管关断时所需负压，所述上位负压生成线路的电压大小随主功率的增大而增加，所述电压大小可超过低压直流稳压电源供电电压；上位功率管M₁导通时不经过上位负压生成线路的电容；

下位功率管M₂驱动电路包括：低压直流稳压电源、下位推挽驱动线路、下位负压生成线路和下位保护线路；直流稳压电源、下位推挽驱动线路和下位保护线路依次串联连接，下位负压生成线路并联接入下位推挽驱动线路和下位功率管M₂之间。

2.如权利要求1所述的一种具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，其特征是，所述自举供电线路包括二极管D₉和电容C₁₄并联连接。

3.如权利要求1所述的一种具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，其特征是，所述上位负压生成线路包括：稳压二极管D₁₀和电容C₁₆并联支路的一端与上位推挽驱动线路下端晶体管的发射极连接，另一端与自举供电线路的电容C₁₄连接；二极管D₁₁、二极管D₁₂与所述稳压二极管D₁₀和电容C₁₆的并联支路依次串联连接，二极管D₁₁的负极与二极管D₁₂的负极连接，二极管D₁₁的正极与低压直流稳压电源的正极连接，电感L₂的一端接在二极管D₁₁与二极管D₁₂之间、另一端与自举供电线路的电容C₁₄连接。

4.如权利要求1所述的一种具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，其特征是，所述下位负压生成线路包括：稳压二级管D₁₃和电容C₁₉并联连接后与电阻R₁₃串联连接。

5.如权利要求1所述的一种具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，其特征是，所述上位推挽驱动线路的输入端信号采用电容耦合。

6.如权利要求1所述的一种具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，其特征是，所述下位负压生成线路产生的负电压施加在下位功率管M₂的源极和低压直流稳压电源地之间。

7.如权利要求1所述的一种具有高负电压的自举供电MOSFET/IGBT驱动线路，其特征是，所述下位负压生成线路产生的负电压施加在上位推挽驱动线路下端晶体管的发射极和上位功率管M₁的源极之间。