[实用新型]一种用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构有效
申请号: | 201320636838.0 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN203589031U | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 朱少鹏;林立;陈红 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/13 | 分类号: | H01L27/13;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构,其设置于聚合物衬底上,所述薄膜结构包括叠加的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层,其中所述的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层在所述聚合物衬底上均设置至少两层,所述薄膜结构的顶层和底层均为所述高折射率薄膜层。通过在聚合物衬底上设置多层的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层,当薄膜结构的反射率足够高时,还有可能因为激光充分反射而降低结晶化所需的ELA激光能量,使衬底材料的选择面更广。同时,本实用新型所提供的薄膜结构还能起到阻挡由聚合物衬底方向渗透的水氧的作用,可以作为水氧阻隔层使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 amoled 聚合物 衬底 激光 损伤 薄膜 结构 | ||
【主权项】:
一种用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构,其设置于聚合物衬底上,其特征在于,所述薄膜结构包括叠加的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层,其中所述的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层在所述聚合物衬底上均设置至少两层,所述薄膜结构的顶层和底层均为所述的高折射率薄膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的