[实用新型]一种用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构有效
申请号: | 201320636838.0 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN203589031U | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 朱少鹏;林立;陈红 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/13 | 分类号: | H01L27/13;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 amoled 聚合物 衬底 激光 损伤 薄膜 结构 | ||
1.一种用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构,其设置于聚合物衬底上,其特征在于,所述薄膜结构包括叠加的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层,其中所述的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层在所述聚合物衬底上均设置至少两层,所述薄膜结构的顶层和底层均为所述的高折射率薄膜层。
2.根据权利要求1所述的抗激光损伤薄膜结构,其特征在于,所述聚合物衬底上所沉积的所述高折射率薄膜层和低折射率薄膜层呈交替分布。
3.根据权利要求1或2所述的抗激光损伤薄膜结构,其特征在于,所述高折射率薄膜层和低折射率薄膜层中的每层膜厚t均满足t=zλH或L/4,其中z为奇数,λH或L为准分子激光退火所用激光在所述的高折射率薄膜层或低折射率薄膜层内的波长。
4.根据权利要求3所述的抗激光损伤薄膜结构,其特征在于,各所述的高折射率薄膜层为氮化硅薄膜层、二氧化钛薄膜层、五氧化二钽薄膜层、氧化锆薄膜层、钛酸镧薄膜层、氧化铪薄膜层和硒化锌薄膜层中的一种或其中任意几种的组合。
5.根据权利要求4所述的抗激光损伤薄膜结构,其特征在于,各所述的低折射率薄膜层为氟化镁薄膜层、氧化硅薄膜层、氧化铝薄膜层和氮化钛薄膜层中的一种或其中任意几种的组合。
6.根据权利要求5所述的抗激光损伤薄膜结构,其特征在于,所述的高折射率薄膜层为3-10层,所述的低折射率薄膜层为2-8层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的