[实用新型]一种用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构有效
申请号: | 201320636838.0 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN203589031U | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 朱少鹏;林立;陈红 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/13 | 分类号: | H01L27/13;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 彭秀丽 |
地址: | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 amoled 聚合物 衬底 激光 损伤 薄膜 结构 | ||
技术领域
本实用新型属于柔性显示技术、薄膜技术和光学设计范畴,更具体地讲,涉及一种柔性主动矩阵有机电致发光显示器中具备抗激光的薄膜结构。
背景技术
基于聚合物衬底和低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)的柔性主动矩阵有机电致发光显示器(AMOLED)在制作过程中,需要对非晶硅(a-Si)进行准分子激光退火(ELA)结晶化,以提高沟道迁移率,使TFT器件符合驱动OLED器件的要求。而a-Si在制备过程中由于杂质和缺陷等,会出现针孔,在ELA时,高能激光会透过针孔照射聚合物衬底。对于传统的玻璃衬底,完全可以耐受这样的高能激光照射;而当聚合物柔性衬底被采用时,由于其较低的玻璃化温度和对紫外光的高吸收率,难以耐受ELA的激光能量密度,有烧毁衬底的风险。
图1为现有技术方案。聚合物衬底101为衬底,钝化膜102沉积在聚合物衬底101上,其中的钝化膜102一般为氧化硅和氮化硅。在之上沉积非晶硅103,沉积过程中由于杂质或缺陷等原因,会出现针孔104。接下来进行ELA时,激光105会透过针孔104,而钝化膜102不足以遮挡高能紫外激光105的入射,高能紫外激光105会照射至聚合物衬底101上,从而导致聚合物衬底101的损伤。
实用新型内容
为了解决聚合物柔性衬底易受透过针孔的高能激光损伤的技术问题,提高AMOLED中聚合物衬底的抗激光损伤能力,本实用新型提供了一种用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构。
所述技术方案如下:
一种用于AMOLED聚合物衬底的抗激光损伤薄膜结构,其设置于聚合物衬底上,所述薄膜结构包括叠加的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层,其中所述的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层在所述聚合物衬底上均设置至少两层,所述薄膜结构的顶层和底层均为所述的高折射率薄膜层。
优选地,所述聚合物衬底上所沉积的所述高折射率薄膜层和低折射率薄膜层呈交替分布。
所述高折射率薄膜层和低折射率薄膜层中的每层膜厚t均满足t=zλH或L/4,其中z为奇数,λH或L为准分子激光退火所用激光在所述高折射率薄膜层或低折射率薄膜层内的波长。
各所述的高折射率薄膜层为氮化硅薄膜层、二氧化钛薄膜层、五氧化二钽薄膜层、氧化锆薄膜层、钛酸镧薄膜层、氧化铪薄膜层和硒化锌薄膜层中的一种或其中任意几种的组合。
各所述的低折射率薄膜层为氟化镁薄膜层、氧化硅薄膜层、氧化铝薄膜层和氮化钛薄膜层中的一种或其中任意几种的组合。
最优选地,所述的高折射率薄膜层为3-10层,所述的低折射率薄膜层为2-8层。
本实用新型提供的技术方案带来的有益效果是:
A.通过在聚合物衬底上设置多层的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层,当薄膜结构的反射率足够高时,还有可能因为激光充分反射而降低结晶化所需的ELA激光能量,使衬底材料的选择面更广。同时,本实用新型所提供的薄膜结构还能起到阻挡由聚合物衬底方向渗透的水氧的作用,可以作为水氧阻隔层使用。
B.从图3和图4可知,采用合适层数和厚度的高折射率薄膜层和低折射率薄膜层,其对规格波长反射率可达到98%以上,对光的反射效果显著。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术所使用的钝化膜沉积结构图;
图2为本实用新型所描述的薄膜结构示意图;
图3为实施例1所描述的薄膜结构所能实现的反射率曲线;
图4为实施例2所描述的薄膜结构所能实现的反射率曲线。
图中:
图1中:101-聚合物衬底,102-钝化膜,103-非晶硅,104-针孔,105-紫外激光;
图2中:201-聚合物衬底,202-高折射率薄膜组,203-低折射率薄膜组。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的