[实用新型]一种用于光学特性参数测试的LED外延结构有效
| 申请号： | 201320387474.7 | 申请日： | 2013-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN203351640U | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 梁秉文 | 申请（专利权）人： | 光垒光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/36 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 杨林;马翠平 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种用于光学特性参数测试的LED外延结构，其包括在衬底上依次形成的缓冲层、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层，在第二半导体层上设有第一透明导电层，LED外延结构中设有封闭的隔离槽，隔离槽环绕部分LED外延结构，形成测试岛，测试岛作为测试区域；其中，隔离槽至少贯穿第一透明导电层、第二半导体层和量子阱层，并且隔离槽位于缓冲层之上。另外，在第一透明导电层上还设有第二透明导电层，第二透明导电层向测试岛周围延伸而形成延伸部，该延伸部用于放置接触电极。本实用新型的用于光学特性参数测试的LED外延结构，将测试区域面积固定，并且将接触电极与测试岛的接触面积固定，在测试过程中提高了测试的精度以及准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 光学 特性 参数 测试 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种用于光学特性参数测试的LED外延结构，包括在衬底上依次形成的缓冲层、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层，在所述第二半导体层上设有第一透明导电层，其特征在于，所述LED外延结构中设有封闭的隔离槽，所述隔离槽环绕部分所述LED外延结构，形成测试岛，所述测试岛作为测试区域；其中，所述隔离槽至少贯穿所述第一透明导电层、第二半导体层和量子阱层，并且所述隔离槽位于所述缓冲层之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光垒光电科技（上海）有限公司，未经光垒光电科技（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320387474.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：螺旋压缩膨胀制冷机
- 下一篇：一种矿用隔爆型低压选择性漏电保护器
