[实用新型]一种用于光学特性参数测试的LED外延结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED技术领域。更具体地讲，涉及一种用于光学特性参数测试的LED外延结构。

背景技术

如图1所示，现有的LED外延结构100在衬底200上沉积形成，LED外延结构100包括依次沉积于衬底200上的缓冲层10、第一半导体层20、量子阱层30、第二半导体层40。

为了在对LED外延结构100的光学特性参数进行测试，使得LED外延结构100产生的光能够发出，在第二半导体层40上设置透明导电层50，在透明导电层50上设置接触电极51和接触电极52，通过接触电极51将测试电流导入LED外延结构100中，而后测试电流由接触电极52导出。LED外延结构100在通入测试电流的情况下发光，设置于LED外延结构100上方的光学分析单元300收集LED外延结构100发出的光，进而通过光学分析获得LED外延结构100的光学特性参数，所述光学特性参数包括LED外延结构100发出的光的波长、亮度、光能效率等。

然而，在对现有的LED外延结构100进行测试时，测试电流在LED外延结构100中的流动路径不固定，这使得测试区域的面积不固定，影响了测试的精度。同时，接触电极51和接触电极52位于测试区域上方，将部分来自量子阱层30发出的光阻挡，也影响了测试结果的准确性。并且，接触电极51与LED外延结构100的接触面积无法固定，因而测试电流进入LED外延结构100的电流扩展区域400不固定，这也影响了测试的精度和准确性。

实用新型内容

为了解决上述现有技术存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种用于光学特性参数测试的LED外延结构，包括在衬底上依次形成的缓冲层、第一半导体层、量子阱层、第二半导体层，在所述第二半导体层上设有第一透明导电层，所述LED外延结构中设有封闭的隔离槽，所述隔离槽环绕部分所述LED外延结构，形成测试岛，所述测试岛作为测试区域；其中，所述隔离槽至少贯穿所述第一透明导电层、第二半导体层和量子阱层，并且所述隔离槽位于所述缓冲层之上。

进一步地，所述第一透明导电层完全覆盖所述测试岛。

进一步地，所述第一透明导电层上设置有第二透明导电层，第二透明导电层覆盖所述第一透明导电层，并且第二透明导电层向所述测试岛周围延伸形成延伸部，延伸部上设有至少一个接触电极，测试岛以外的LED外延结构的第三半导体层上设有至少一个接触电极，测试电流通过所述延伸部上的接触电极进入测试岛，并通过测试岛以外的LED外延结构的第三半导体层上的接触电极流出测试岛。

进一步地，所述延伸部上设有的接触电极的数量为偶数，该偶数个接触电极均匀设置于所述延伸部上。

进一步地，所述隔离槽的形状为正多边形环或圆形环。

进一步地，所述隔离槽的宽度为0.7mm～3.0mm。

本实用新型提供的用于光学特性参数测试的LED外延结构中设置有封闭的隔离槽，该隔离槽将部分LED结构进行隔离形成测试岛，该测试岛的面积固定，利用该测试岛作为光学特性测试的测试区域的面积固定，与现有技术的测试区域的面积不固定相比，本实用新型提高了测试的精度；并且在测试该LED外延结构的光学特性参数的过程中，在接触电极与测试岛之间设置第一透明导电层和第二透明导电层，将接触电极与测试岛的接触面积固定，使得测试电流的流动路径固定，提高了测试的精度以及测试的准确度。另外，接触电极设置在第二透明导电层的延伸部上，避免接触电极将测试岛中发出的光线阻挡，进一步提高了测试的准确度；而且，延伸部上设有的接触电极的数量为偶数，该偶数个接触电极均匀设置于延伸部上，这样便于测试电流均匀扩展，进一步提高了测试精度。

附图说明

图1示出了一种现有的LED外延结构及测试其光学特性参数的示意图。

图2示出了根据本实用新型的实施例1的LED外延结构的俯视图。

图3示出了图2的A-A向视图及测试根据本实用新型的实施例1的LED外延结构的光学特性参数的示意图。

图4示出了根据本实用新型的实施例2的LED外延结构的立体图。

具体实施方式

现在对本实用新型的实施例进行详细的描述，其示例表示在附图中，其中，相同的标号始终表示相同部件。下面通过参照附图对实施例进行描述以解释本实用新型。在下面的描述中，为了避免公知结构和/或功能的不必要的详细描述所导致的本实用新型构思的混淆，可省略公知结构和/或功能的不必要的详细描述。

实施例1