[实用新型]一种TSV露头结构有效
| 申请号： | 201320237566.7 | 申请日： | 2013-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN203312288U | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张文奇;宋崇申 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐灵;常亮 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种TSV露头结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底内设有至少一个TSV导电柱，该TSV导电柱贯穿于衬底正面和衬底背面之间，并延伸出衬底背面上形成露头部分，所述衬底背面与TSV露头部分相连的区域设有坡形的缓冲区，该缓冲区具有连续的高度变化，其高度以邻近TSV露头部分的位置最高，并逐渐过渡到与衬底背面相同的高度。通过在TSV露头部分与半导体衬底表面之间设置一个缓冲结构，使TSV露头部分与半导体衬底表面之间呈现一个连续的高度变化，从而改变了原先TSV露头部分与半导体衬底表面的垂直关系，克服了PVD工艺时，种子层可能在此处产生的断层问题，提高了微凸点与TSV露头的连接可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 露头 结构 | ||
【主权项】：
一种TSV露头结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底内设有至少一个TSV导电柱，该TSV导电柱贯穿于衬底正面和衬底背面之间，并延伸出衬底背面上形成露头部分，其特征在于：所述衬底背面与TSV露头部分相连的区域设有坡形的缓冲区，该缓冲区具有连续的高度变化，其高度以邻近TSV露头部分的位置最高，并逐渐过渡到与衬底背面相同的高度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320237566.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池片
- 下一篇：一种集成电路引脚修复装置
