[实用新型]一种MOSFET功率开关模块组件有效
| 申请号： | 201320230140.9 | 申请日： | 2013-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN203279350U | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 郭跃飞 | 申请（专利权）人： | 大洋电机新动力科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/18 | 分类号： | H05K1/18 |
| 代理公司： | 中山市汉通知识产权代理事务所(普通合伙) 44255 | 代理人： | 古冠开 |
| 地址： | 100089 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MOSFET功率开关模块组件，包括PCB铝基板和安装在PCB铝基板上的若干MOSFET场效应管，多个MOSFET场效应管并排且通过PCB铝基板上的印刷电路并联起来形成一组MOS管单元，每组MOS管单元旁边、PCB铝基板上设置一个高压导电铜排，每组MOS管单元通过PCB铝基板上的印刷电路与对应的一个高压导电铜排电连接，在PCB铝基板上直接安装MOSFET驱动板，MOSFET驱动板通过PCB铝基板上的印刷电路直接驱动每组MOS管单元运行，该结构简单、安装方便、散热性能好、工作效率高、驱动的一致性好、抗干扰能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 功率 开关 模块 组件 | ||
【主权项】：
一种MOSFET功率开关模块组件，包括PCB铝基板（1）和安装在PCB铝基板（1）上的若干MOSFET场效应管（21），多个MOSFET场效应管（21）并排且通过PCB铝基板（1）上的印刷电路并联起来形成一组MOS管单元（2），每组MOS管单元（2）旁边、PCB铝基板（1）上设置对应的一个高压导电铜排（3），每组MOS管单元（2）通过PCB铝基板（1）上的印刷电路与对应的一个高压导电铜排（3）电连接，其特征在于：在PCB铝基板（1）上直接安装MOSFET驱动板（4），MOSFET驱动板（4）通过PCB铝基板（1）上的印刷电路直接驱动每组MOS管单元（2）运行。
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