[实用新型]绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201320220806.2 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN203481235U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 霍尔格·豪斯肯;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;弗兰克·普菲尔什 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：有源区域，包括本体区，具有第一导电类型；源区，具有与第一导电类型不同的第二导电类型并与本体区形成第一pn结；漂移区，具有第二导电类型并设置在本体区与发射极侧相对的一侧并与本体区形成第二pn结；至少一个沟槽，在漂移区内延伸并填充有栅极，至少一个沟槽具有第一宽度的第一沟槽部以及具有不同于第一宽度的第二宽度的第二沟槽部，其中，本体区与漂移区间的第二pn结位于绝缘栅双极型晶体管中第二深度；以及终端区域，位于有源区域的外围并包括具有第一导电类型的掺杂区以及具有第二导电类型的体块区，其中掺杂区在绝缘栅双极型晶体管中朝向体块区延伸至第一深度，其中第一深度比第二深度深。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于，包括： 有源区域（20），所述有源区域（20）包括： 本体区（24），所述本体区（24）具有第一导电类型； 具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的源区（25），与所述本体区（24）形成第一pn结； 具有与所述第一导电类型不同的所述第二导电类型的漂移区（23），被设置在所述本体区（24）的与发射极侧相对的一侧，并且与所述本体区（24）形成第二pn结； 至少一个沟槽（23'），在所述漂移区（23）内延伸，其中所述至少一个沟槽内填充有栅极（26），并且其中所述至少一个沟槽具有第一沟槽部（23a），第一沟槽部（23a）具有第一宽度；以及第二沟槽部（23b），第二沟槽部（23b）具有第二宽度，所述第二宽度不同于所述第一宽度；以及 其中，所述本体区与所述漂移区之间的所述第二pn结位于所述绝缘栅双极型晶体管中的第二深度；以及 终端区域（10），位于所述有源区域（20）的外围，并包括具有所述第一导电类型的掺杂区（11）以及具有所述第二导电类型的体块区（12），并且其中，所述掺杂区（11）在所述绝缘栅双极型晶体管中朝向所述体块区（12）延伸至第一深度， 其中，所述第一深度比所述第二深度深。
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