[实用新型]绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于，包括： 

有源区域（20），所述有源区域（20）包括： 

本体区（24），所述本体区（24）具有第一导电类型； 

具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的源区（25），与所述本体区（24）形成第一pn结； 

具有与所述第一导电类型不同的所述第二导电类型的漂移区（23），被设置在所述本体区（24）的与发射极侧相对的一侧，并且与所述本体区（24）形成第二pn结； 

至少一个沟槽（23'），在所述漂移区（23）内延伸，其中所述至少一个沟槽内填充有栅极（26），并且其中所述至少一个沟槽具有第一沟槽部（23a），第一沟槽部（23a）具有第一宽度；以及第二沟槽部（23b），第二沟槽部（23b）具有第二宽度，所述第二宽度不同于所述第一宽度；以及 

其中，所述本体区与所述漂移区之间的所述第二pn结位于所述绝缘栅双极型晶体管中的第二深度；以及 

终端区域（10），位于所述有源区域（20）的外围，并包括具有所述第一导电类型的掺杂区（11）以及具有所述第二导电类型的体块区（12），并且其中，所述掺杂区（11）在所述绝缘栅双极型晶体管中朝向所述体块区（12）延伸至第一深度， 

其中，所述第一深度比所述第二深度深。 

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于， 

所述至少一个沟槽（23'）在所述漂移区（23）内延伸至第三深度；以及 

其中，所述第一深度比所述第三深度深。 

3.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于， 

所述至少一个沟槽（23'）在所述漂移区（23）内延伸至第三深度；以及 

其中，所述第三深度比所述第一深度深。 

4.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于，所述第二沟槽部（23b）在所述绝缘栅双极型晶体管（2，3）的纵向方向上布置在所述第一沟槽部（23a）的下面，并且其中在所述绝缘栅双极型晶体管（2，3）的横向方向上，所述第二宽度大于所述第一宽度。 

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于，所述第一沟槽部（23a）的所述第一宽度沿着所述第一沟槽部是均匀的宽度。 

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于，所述第一沟槽部（23a）与所述本体区（24）邻接，以及所述第二沟槽部（23b）邻接于所述本体区（24）和所述漂移区（23）。 

7.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于，所述第一沟槽部（23a）与所述本体区（24）和所述漂移区（23）邻接，以及所述第二沟槽部（23b）邻接于所述漂移区（23）。 

8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于，所述至少一个沟槽包括将所述栅极（26）与至少所述源区（25）和所述本体区（24，34）电绝缘的绝缘层（27）。 

9.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于，所述终端区域（10）包括在所述体块区（12）中延伸的多个所述掺杂区（11）。 

10.根据权利要求9所述的绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于，多个所述掺杂区（11）中的至少一个延伸至的深度小于所述第一深度。 

11.根据权利要求10所述的绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于，还包括： 

集电区（21），包括： 

第一部分（21a），所述第一部分（21a）位于所述有源区域（20）中并在所述漂移区（23）的与所述本体区相对的下侧延伸，并具有所述第一导电类型；以及 

第二部分（21b），所述第二部分（21b）位于所述终端区域（10）中并在所述体块区（12）的下侧延伸，并具有所述第一导电类型， 

其中，所述第一部分（21a）的掺杂浓度高于所述第二部分（21b）的掺杂浓度。 

12.根据权利要求11所述的绝缘栅双极型晶体管（2，3），其特征在于， 

所述第二部分（21b）的掺杂浓度为零。