[实用新型]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201320114874.0 | 申请日： | 2013-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN203218308U | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 卢怡安;陈怡燕;吴俊毅;陶青山;蔡文必 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管芯片，包括：基板；镜面系统，位于所述基板之上，由金属反射层和透光层构成；发光外延层，位于所述镜面系统之上，其至少包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；带状或块状空气间隙，形成于所述透光层。该结构可以有效提高器件的取光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，包括：基板；镜面系统，位于所述基板之上，由金属反射层和透光层构成；发光外延层，位于所述镜面系统之上，其至少包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；其特征在于：在所述透光层中形成带状或块状空气间隙，提高取光效果。
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