[实用新型]发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，包括：

基板；

镜面系统，位于所述基板之上，由金属反射层和透光层构成；

发光外延层，位于所述镜面系统之上，其至少包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；

其特征在于：在所述透光层中形成带状或块状空气间隙，提高取光效果。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述空气间隙呈带状围绕于所述芯片的周围，从而增加发光外延层边缘区域的光线到达金属反射层的入射角，提高取光效果。

3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述空气间隙的宽度为5~20μm。

4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述空气间隙分布于位于所述芯片的内部区域。

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述空气间隙面积与所述透光层面积的比例为0.15~0.5。

6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述空气间隙同时分布在芯片的边缘区域和内部。

7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述透光层为介质层，其具有一系列导电孔。

8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述空气间隙具有倾斜的侧壁。

9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：还包括至少一电极结构，位于所述芯片的上表面之上，其在垂直方向上的投影不与所述空气间隙重叠或相交。