[实用新型]一种新型GaN基发光二极管外延结构

摘要

本实用新型公开了一种新型GaN基发光二极管外延结构，该GaN基发光二极管外延结构的复合多量子阱层包括顺序生长的第一势垒层、超晶格应力调制层、第二势垒层、高温浅量子阱层与低温发光量子阱层，其结构特点是低温发光量子阱层包括预覆盖层、低温阱层、生长停顿层、覆盖层及低温势垒层。本实用新型采用特殊的外延结构可使阱的局域限制效果更好，电子与空穴复合机率变大，提高发光效率与高稳定温度特性及抑制大电流注入下发生光效下降(efficiency droop)的效应，并且工艺过程易控制，适合量产，对生长设备和工艺条件无特殊要求。

主权项

一种新型GaN基发光二极管外延结构，全结构从下向上依次为：衬底层、氮化镓低温缓冲层、未掺杂的高温氮化镓层、n型氮化镓层、n型铝铟镓氮层、复合多量子阱层、p型电子阻挡层、p型氮化镓层，复合多量子阱层从下向上依次包括第一势垒层、超晶格应力调制层、第二势垒层、高温浅量子阱层与低温发光量子阱层，其特征在于低温发光量子阱层包括1至20个周期的预覆盖层、低温阱层、生长停顿层、覆盖层及低温势垒层。