[实用新型]一种新型GaN基发光二极管外延结构

权利要求书

1.一种新型GaN基发光二极管外延结构，全结构从下向上依次为：衬底层、氮化镓低温缓冲层、未掺杂的高温氮化镓层、n型氮化镓层、n型铝铟镓氮层、复合多量子阱层、p型电子阻挡层、p型氮化镓层，复合多量子阱层从下向上依次包括第一势垒层、超晶格应力调制层、第二势垒层、高温浅量子阱层与低温发光量子阱层，其特征在于低温发光量子阱层包括1至20个周期的预覆盖层、低温阱层、生长停顿层、覆盖层及低温势垒层。 

2.根据权利要求1所述的一种新型GaN基发光二极管外延结构，其特征在于：低温发光量子阱层为按顺序生长的低温势垒层，在所述低温势垒层上生长预覆盖层，在所述预覆盖层上生长低温阱层，在所述低温阱层上生长覆盖层，预覆盖InN层在低温势垒层上形成充当低温阱层的晶籽，促进低温阱层形成InGaN类量子点结构，生长停顿层控制低温阱层类量子点的尺寸与密度，同时改善均匀性及长晶品质，GaN覆盖层保护低温阱层在温度升高时的损伤。