[实用新型]一种能提高光取出效率的发光二极管有效
申请号: | 201320103313.0 | 申请日: | 2013-03-07 |
公开(公告)号: | CN203134851U | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 庄曜玮 | 申请(专利权)人: | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种能提高光取出效率的发光二极管,涉及光电技术领域。本实用新型包括衬底以及衬底上方依次由N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层组成的发光结构。N型半导体层上的一端设置有N型电极,透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。衬底和N型半导体层的接触面上留有脉冲激光切割形成的烧结面。其结构特点是,所述烧结面的切割线为间断式切割线。本实用新型有效减小了激光切割产生的侧壁烧结面清、降低了清洁,能提高侧壁光取出效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 取出 效率 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种能提高光取出效率的发光二极管,它包括衬底(1)以及置于衬底(1)上方依次由N型半导体层(3)、发光层(5)、P型半导体层(6)和透明导电层(7)组成的发光结构,N型半导体层(3)上的一端设置有N型电极(4),透明导电层(7)上、与N型电极(4)相对的另一端置有P型电极(8),衬底(1)和N型半导体层(3)的接触面上留有脉冲激光切割形成的烧结面(2),其特征在于,所述烧结面(2)的切割线为间断式切割线。
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