[实用新型]一种能提高光取出效率的发光二极管

权利要求书

1.一种能提高光取出效率的发光二极管，它包括衬底（1）以及置于衬底（1）上方依次由N型半导体层（3）、发光层（5）、P型半导体层（6）和透明导电层（7）组成的发光结构，N型半导体层（3）上的一端设置有N型电极（4），透明导电层（7）上、与N型电极（4）相对的另一端置有P型电极（8），衬底（1）和N型半导体层（3）的接触面上留有脉冲激光切割形成的烧结面(2)，其特征在于，所述烧结面（2）的切割线为间断式切割线。

2.根据权利要求1所述能提高光取出效率的发光二极管，其特征在于，所述烧结面（2）的间断式切割线包括横向间断式切割线和纵向间断式切割线，间断式切割线的切割深度是10-40um。

3.根据权利要求2所述的能提高光取出效率的发光二极管，其特征在于，所述横向间断式切割线宽度为发光二极管晶粒横向切割线总长度的5%-50%，所述纵向间断式切割线宽度为发光二极管晶粒纵向切割线总长度的5%-50%。