[实用新型]LED半导体元件有效
| 申请号： | 201320074463.3 | 申请日： | 2013-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN203192835U | 公开（公告）日： | 2013-09-11 |
| 发明（设计）人： | 王冬雷 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/02 |
| 代理公司： | 广东秉德律师事务所 44291 | 代理人： | 杨焕军 |
| 地址： | 241103 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及LED半导体元件，其包含有至少一个半导体层，所述半导体层包括下半导体层和上半导体层，所述下半导体层和所述上半导体层之间包含有生成于下半导体层的上端面的粗化层，所述粗化层包括多个突起，所述粗化层上生成有连续的氮化物材料层，所述突起穿过并突出于所述氮化物材料层；所述氮化物材料层的四周露出于所述粗化层之外。本实用新型提供全程在外延工艺中即可成长的具有由粗化层和氮化物材料层所构成的缺陷阻挡层的LED半导体元件，降低半导体层中的位错缺陷，提高材料晶体质量，进而改善发光器件的性能，不需要二次外延，不需要经过光刻、腐蚀等复杂步骤来制作图形，具有实现方法简单易行、成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | led 半导体 元件 | ||
【主权项】：
一种LED半导体元件，其特征在于，包含有至少一个半导体层，所述半导体层包括下半导体层和上半导体层，所述下半导体层和所述上半导体层之间包含有生成于下半导体层的上端面的粗化层，所述粗化层包括多个突起，所述粗化层上生成有连续的氮化物材料层，所述突起穿过并突出于所述氮化物材料层；所述氮化物材料层的四周露出于所述粗化层之外。
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