[实用新型]一种沟槽MOSFET功率整流器件

摘要

本实用新型提供了一种沟槽MOSFET功率整流器件，该沟槽MOSFET功率整流器件的外延层包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，第一沟槽位于该第一区域，在该外延层的第二区域具有至少一个包围第一沟槽的第二导电类型的终端保护环，所述终端保护环从所述外延层的表面延伸至所述外延层内部，且所述终端保护环的底部的位置低于位于所述外延层第一区域的第一沟槽底部的位置。由于外延层的第二区域围绕第一区域，所以，位于围绕第一沟槽的终端保护环能够将第一沟槽的底部包围，避免第一沟槽承受高电压强度的风险。

主权项

一种沟槽MOSFET功率整流器件，其特征在于，包括，第一导电类型的衬底；位于所述衬底第一表面之上的外延层，所述外延层包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；位于所述外延层的第一区域的若干个第一沟槽，所述第一沟槽从所述外延层的表面延伸至所述外延层内部；其中，所述第一沟槽之间通过台面区域隔开，所述第一沟槽内填充有掺杂多晶硅，形成栅多晶硅；位于所述台面区域表面的第一导电类型的源区；位于所述源区下方的第二导电类型的体区；至少一个位于所述第二区域的包围所述第一沟槽的第二导电类型的终端保护环，所述终端保护环从所述外延层的表面延伸至所述外延层内部，且所述终端保护环的底部的位置低于所述第一沟槽底部的位置；位于所述外延层的表面上方且与所述源区、所述体区、所述栅多晶硅形成欧姆接触的第一电极；位于所述衬底的第二表面下方的第二电极，所述第二表面与所述第一表面相对；其中，所述第一导电类型和所述第二导电类型相反。