[发明专利]高密度有机桥器件和方法有效
| 申请号： | 201310757213.4 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104037161A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | M·K·罗伊;S·M·洛茨;任纬伦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L23/522;H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了采用有机桥来允许多芯片互相连接的实施例。在一些实施例中，有机封装衬底具有嵌入式有机桥。有机桥可具有允许管芯的附件通过有机桥而互相连接的互连结构。在一些实施例中，有机桥包括金属布线层、金属焊盘层以及交错的有机聚合物介电层，但没有衬底层。仅有几层的实施例可被嵌入到有机封装衬底的顶层或者顶部的几层中。还描述了制造的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 有机 器件 方法 | ||
【主权项】：
一种微电子封装，包括：有机聚合物衬底；嵌入在所述衬底中的有机聚合物桥；在所述有机聚合物桥的第一位置处的第一互连结构，以及在所述有机聚合物桥的第二位置处的第二互连结构；以及在所述有机聚合物桥中的导电通路，所述导电通路将所述第一互连结构连接至所述第二互连结构。
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