[发明专利]形成在衬底中的电感器在审
| 申请号： | 201310757157.4 | 申请日： | 2013-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN103872010A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | M·K·罗伊;M·J·马努沙罗;H·R·蔡斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及形成在衬底中的电感器。具体而言，一种方法和器件，包括在第一电介质层上形成第一导体作为线圈的局部匝。在覆盖所述第一电介质层和所述第一导体的第二电介质层上形成第二导体，所述第二导体形成所述线圈的局部匝；垂直互连将所述第一导体和第二导体耦合，以形成所述线圈的第一整匝。所述互连耦合可以通过嵌入一些可选的磁性材料到衬底中进行加强。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 衬底 中的 电感器 | ||
【主权项】：
一种电子器件，包括：第一导体，其形成在第一电介质层上作为线圈的局部匝；第二导体，其形成在覆盖所述第一电介质层和所述第一导体的第二电介质层上，所述第二导体形成所述线圈的局部匝；以及垂直互连，其将所述第一导体和所述第二导体耦合，以形成所述线圈的第一整匝。
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