[发明专利]红外雪崩二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置在审
| 申请号： | 201310754522.6 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752341A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 毛剑宏;韩凤芹 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/04;H01L31/107 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种红外雪崩二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置，红外雪崩二极管阵列装置的形成方法包括：提供硅衬底；在所述硅衬底正面形成呈阵列排列的重掺杂P型硅区、位于P型硅区上的本征锗区、位于本征锗区上的重掺杂N型锗区；红外雪崩光电二极管包括所述P型硅区、所述本征锗区和所述N型锗区。重掺杂P型硅区、本征锗区以及重掺杂N型锗区都可以利用CMOS工艺形成，因此形成红外雪崩二极管阵列装置的方法可以和CMOS工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 红外 雪崩 二极管 阵列 装置 形成 方法 激光 三维 成像 | ||
【主权项】：
一种红外雪崩二极管阵列装置的形成方法，其特征在于，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底正面形成呈阵列排列的重掺杂P型硅区、位于P型硅区上的本征锗区、位于本征锗区上的重掺杂N型锗区；红外雪崩光电二极管包括所述P型硅区、所述本征锗区和所述N型锗区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
