[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201310749962.2 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752517A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 单奇;柳冬冬 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明所述的一种薄膜晶体管，半导体层包括依次堆叠设置的金属氧化物半导体层和硅层，硅层正对半导体两端源区和漏区的区域掺杂有杂质离子；薄膜晶体管工作时，硅层的载流子迁移率远低于金属氧化物半导体层的载流子迁移率，电荷通过硅层中的掺杂区域直接进入金属氧化物半导体层中进行移动，极大的减少了背沟道层中的电荷量，避免了背沟道区域提前开启，从而减少了薄膜晶体管的漏电流。而且，硅层的掺杂区域的导电性能好，有效降低了源/漏电极层和半导体层的接触电阻，提高了薄膜晶体管的电学性能。同时，本发明所述的一种薄膜晶体管的制备方法，工艺简单，易实现大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：依次堆叠设置的栅极层、第一绝缘层、半导体层以及源/漏电极层；其特征在于，所述半导体层包括金属氧化物半导体层以及形成在所述半导体层远离所述栅极绝缘层的表面上的硅层，所述半导体层两端的源区和漏区对应的所述硅层掺杂有杂质离子，所述杂质离子与所述金属氧化物半导体均为N型或均为P型；所述源/漏电极层中的源极和漏极分别与所述硅层两端的掺杂区域接触连接。
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