[发明专利]非易失性存储单元及其形成方法在审
| 申请号： | 201310745767.2 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752433A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储单元及其形成方法，所述非易失性存储单元包括：基底；位于基底上的间隔堆叠的若干绝缘层和若干栅极层，栅极层和绝缘层内形成有垂直于基底的通孔；位于所述通孔内的沟道层，所述沟道层的表面与通孔顶部齐平；位于所述栅极层和沟道层之间的存储介质层。所述非易失性存储单元可以提高非易失性存储器的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储单元，其特征在于，包括：基底；位于基底上的间隔堆叠的若干绝缘层和若干栅极层，栅极层和绝缘层内形成有垂直于基底的通孔；位于所述通孔内的沟道层，所述沟道层的表面与通孔顶部齐平；位于所述栅极层和沟道层之间的存储介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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