[发明专利]栅介质的电学性能的测试方法有效
| 申请号： | 201310745281.9 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103745941A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 魏星;曹铎;狄增峰;方子韦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种栅介质的电学性能的测试方法，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底包括一绝缘埋层以及位于所述绝缘埋层表面的一用于制造器件的顶层半导体层；在所述顶层半导体层表面制作一第一金属电极及生长一栅介质薄膜；在所述栅介质薄膜表面制作一第二金属电极及第三金属电极，所述第一金属电极的面积及第二金属电极的面积大于所述第三金属电极的面积；在所述第一金属电极与所述第三金属电极上施加电压，进行电流-电压测试，以得到所述栅介质的漏电流；在所述第二金属电极与第三金属电极上施加电压，进行电容-电压测试，以得到所述栅介质的电容。本发明栅介质的电学性能的测试方法，其能够简单方便准确的测量栅介质材料的漏电流及电容。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 电学 性能 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种栅介质的电学性能的测试方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一衬底，所述衬底包括一绝缘埋层以及位于所述绝缘埋层表面的一用于制造器件的顶层半导体层； 在所述顶层半导体层表面制作一第一金属电极及生长一栅介质薄膜； 在所述栅介质薄膜表面制作一第二金属电极及第三金属电极，所述第一金属电极的面积及第二金属电极的面积大于所述第三金属电极的面积； 在所述第一金属电极与所述第三金属电极上施加电压，进行电流‑电压测试，以得到所述栅介质的漏电流； 在所述第二金属电极与第三金属电极上施加电压，进行电容‑电压测试，以得到所述栅介质的电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
