[发明专利]栅介质的电学性能的测试方法

权利要求书

1.一种栅介质的电学性能的测试方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一衬底，所述衬底包括一绝缘埋层以及位于所述绝缘埋层表面的一用于制造器件的顶层半导体层； 在所述顶层半导体层表面制作一第一金属电极及生长一栅介质薄膜； 在所述栅介质薄膜表面制作一第二金属电极及第三金属电极，所述第一金属电极的面积及第二金属电极的面积大于所述第三金属电极的面积； 在所述第一金属电极与所述第三金属电极上施加电压，进行电流-电压测试，以得到所述栅介质的漏电流； 在所述第二金属电极与第三金属电极上施加电压，进行电容-电压测试，以得到所述栅介质的电容。

2.根据权利要求1所述的栅介质的电学性能的测试方法，其特征在于，所述制作第一金属电极的步骤包括： 对衬底的顶层半导体层进行光刻处理，确定第一金属电极的位置及形状； 沉积金属薄膜； 采用剥离工艺，去除光刻胶及多余金属薄膜，在顶层半导体层上形成一第一金属电极。

3.根据权利要求1所述的栅介质的电学性能的测试方法，其特征在于，所述生长栅介质薄膜的步骤包括： 将带有第一金属电极的衬底进行清洗； 将清洗后的带有第一金属电极的衬底置于原子层沉积反应腔中，利用原子层沉积的方式生长栅介质薄膜； 原位对生长的栅介质薄膜进行氧等离子体处理。

4.根据权利要求1所述的栅介质的电学性能的测试方法，其特征在于，所述制作第二金属电极及第三金属电极的步骤包括： 对衬底的具有第一金属电极及栅介质薄膜的表面进行掩膜处理，确定第二金属电极及第三金属电极的位置及形状； 沉积金属薄膜； 采用剥离工艺，去除掩膜，在栅介质薄膜上形成一第二金属电极及第三金属电极。

5.根据权利要求1所述的栅介质的电学性能的测试方法，其特征在于，在所述栅介质薄膜上制作第二金属电极及第三金属电极后，进一步包括一退火步骤，以形成欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的栅介质的电学性能的测试方法，其特征在于，所述衬底经过一清洗干燥步骤。

7.根据权利要求1所述的栅介质的电学性能的测试方法，其特征在于，在衬底上制作第一金属电极后进一步包括一采用标准的RCA清洗工艺对衬底进行清洗的步骤。

8.根据权利要求1所述的栅介质的电学性能的测试方法，其特征在于，所述栅介质薄膜为高介电常数介质薄膜。

9.根据权利要求1所述的栅介质的电学性能的测试方法，其特征在于，所述第一金属电极的面积及第二金属电极的面积大于100倍的第三金属电极的面积。