[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法在审
申请号: | 201310744365.0 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN103730574A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 邱龙臻;林广庆;李鹏;朱闵;陈梦婕;王迎;陆红波;吕国强 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L51/10 | 分类号: | H01L51/10;H01L51/40 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 何梅生 |
地址: | 230009 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法,其特征在于:晶体管是在设置有栅电极的基板上覆盖有绝缘层,在绝缘层上覆盖有表面修饰层,表面修饰层经紫外光照射后发生交联反应,在发生交联反应后的表面修饰层上设置有有机半导体层和与有机半导体层呈欧姆接触的源电极和漏电极,源电极和漏电极通过有机半导体层连通。本发明有机薄膜晶体管利用紫外光照表面修饰层,使高分子聚合物发生交联反应,在半导体层与栅绝缘层之间增加了高分子聚合物界面修饰层,从而避开了栅绝缘层上羟基基团的载流子陷阱,得到了很好的器件性能,并且大大降低了迟滞效应。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种有机薄膜晶体管,其特征在于:所述晶体管是在设置有栅电极(2)的基板(1)上覆盖有绝缘层(3),在绝缘层(3)上覆盖有表面修饰层(4),所述表面修饰层(4)经紫外光照射后发生交联反应,在发生交联反应后的表面修饰层上设置有有机半导体层(5)和与所述有机半导体层呈欧姆接触的源电极(6)和漏电极(7),所述源电极(6)和漏电极(7)通过有机半导体层(5)连通。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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