[发明专利]双沟渠式整流器及其制造方法

摘要

本发明提供一种双沟渠式整流器及其制造方法，该双沟渠式MOS整流组件的结构包含多个主沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n‑外延层内，多个主沟渠各相距一平台单位，内具有主沟渠氧化层形成于主沟渠底部及侧壁并有导电的第一多晶硅层填于其中以形成沟渠金属氧化物半导体结构；此外，多个凹陷区于平台中，凹陷区内包含MOS结构，由导电的第二多晶硅层/副沟渠栅极氧化层/n‑外延层组成，多个p型本体(离子注入区)注入于凹陷区MOS结构的两侧；一顶部金属层毯覆式覆盖于包括该些多晶硅层、p型离子注入区的半导体基板正面以做为阳极，一底部金属层作为阴极形成于该重掺杂的n+半导体基板上。

主权项

一种双沟渠式整流组件，其特征在于，所述组件包含：多个主沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n‑外延层内，所述多个主沟渠内具有主沟渠氧化层形成于所述主沟渠底部及侧壁；多个凹陷区间隔形成于所述多个主沟渠间的主平台的n‑外延层内，所述多个凹陷区内具有副沟渠栅极氧化层形成于所述凹陷区底部及侧壁；一导电型杂质掺杂的第一多晶硅层形成于所述主沟渠内；一导电型杂质掺杂的第二多晶硅层形成于所述凹陷区内以形成MOS结构，所述MOS结构包含所述第二多晶硅层，所述副沟渠栅极氧化层，所述外延层，由所述外延层为底向上顺序形成；多个p型本体区形成于所述凹陷区两侧平台下的n‑外延层内；一顶部金属层覆盖于包括所述第一及第二多晶硅层、p型本体区的半导体基板正面以作为阳极，一底部金属层作为阴极形成于所述重掺杂的n+半导体基板的背面。