[发明专利]双沟渠式整流器及其制造方法

权利要求书

1.一种双沟渠式整流组件，其特征在于，所述组件包含：

多个主沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-外延层内，所述多个主沟渠内具有主沟渠氧化层形成于所述主沟渠底部及侧壁；

多个凹陷区间隔形成于所述多个主沟渠间的主平台的n-外延层内，所述多个凹陷区内具有副沟渠栅极氧化层形成于所述凹陷区底部及侧壁；

一导电型杂质掺杂的第一多晶硅层形成于所述主沟渠内；

一导电型杂质掺杂的第二多晶硅层形成于所述凹陷区内以形成MOS结构，所述MOS结构包含所述第二多晶硅层，所述副沟渠栅极氧化层，所述外延层，由所述外延层为底向上顺序形成；

多个p型本体区形成于所述凹陷区两侧平台下的n-外延层内；

一顶部金属层覆盖于包括所述第一及第二多晶硅层、p型本体区的半导体基板正面以作为阳极，一底部金属层作为阴极形成于所述重掺杂的n+半导体基板的背面。

2.根据权利要求1所述的双沟渠式整流组件，其特征在于,所述p型本体区的每一个还包含形成两个n+离子注入区于所述p型本体区且邻接于所述MOS结构的两侧。

3.根据权利要求1所述的双沟渠式整流组件，其特征在于，所述组件还包含一金属硅化物层形成于所述第二多晶硅层，所述n-外延层上，以连接所述顶部金属层。

4.一种双沟渠式整流组件，其特征在于，所述组件包括：

多个主沟渠平行形成于重掺杂的n+半导体基板上的n-外延层内，所述多个主沟渠内具有主沟渠氧化层形成于所述主沟渠底部及侧壁；

多个凹陷区间隔形成于所述多个主沟渠间的主平台的n-外延层内，所述多个凹陷区内具有副沟渠栅极氧化层形成于所述凹陷区底部及侧壁及凹陷区两侧的平台上；

一导电型杂质掺杂的第一多晶硅层形成于所述主沟渠内，所述第一多晶硅层上也形成有副沟渠栅极氧化层；

一导电型杂质掺杂的第二多晶硅层形成于所述凹陷区并溢出至平台之上，且高过于主沟渠的第一多晶硅层上的副沟渠栅极氧化层上，所述第二多晶硅层被图案化成多列与所述主沟渠走向相垂直的多个MOS结构列，所述的MOS结构列，包含所述第二多晶硅层，所述副沟渠栅极氧化层，所述外延层，由所述外延层为底向上顺序形成及所述第二多晶硅层，所述副沟渠栅极氧化层，所述第一多晶硅层，由所述第一多晶硅层为底向上顺序形成；

多个p型本体区形成于所述MOS结构列相邻的平台下的n-外延层内；

一顶部金属层覆盖于包括所述MOS结构列及相邻的本体区的半导体基板正面以作为阳极，一底部金属层作为阴极形成于所述重掺杂的n+半导体基板的背面。

5.根据权利要求4所述的双沟渠式整流组件，其特征在于，所述p型本体区的每一个还包含形成两个n+离子注入区于所述p型本体区且邻接于所述MOS结构列的两侧。