[发明专利]电容器的制作方法在审
| 申请号： | 201310739280.3 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN104752154A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 方三军;朱瑜杰;张冠军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出了一种电容器的制作方法，使形成在下电极表面的介质层暴露出一部分下电极，接着在介质层以及暴露出的下电极表面形成上电极，使所述上电极有一部分与下电极相连接，从而保证在形成上电极的时所产生的电荷也能够传导至所述下电极上，使上电极和下电极之间不具有电势差，从而避免了电弧放电缺陷的形成，接着去除上电极和下电极相连的部分即可形成电容器，从而使形成的电容器良率较高，符合要求。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电容器的制作方法，包括步骤：提供半导体晶圆；在所述半导体晶圆的表面形成一下电极；在所述下电极的表面形成一介质层，使所述介质层暴露出一部分下电极；在所述介质层的表面形成一上电极，所述上电极覆盖所述介质层以及暴露出的下电极；依次刻蚀上电极、介质层以及下电极，并刻蚀去除所述上电极覆盖所述下电极的部分，从而形成多个电容器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310739280.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法
- 下一篇：质谱分析装置用二次电子倍增管
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
