[发明专利]一种硅基圆片级扇出封装方法及其封装结构

摘要

本发明涉及一种硅基圆片级扇出封装方法及其封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其封装结构包括硅基本体（110）和带有若干个电极（210）的IC芯片（200），每一电极（210）上设置若干个金属柱/金属块（300），IC芯片（200）的另一面通过贴片胶（700）与硅基本体（110）连接；通过塑封层封装，金属柱/金属块（300）的端面露出塑封层，并在其端面设置布线走向独立的再布线金属层（500），相邻的再布线金属层（500）向电极（210）外侧延伸，并在再布线金属层（500）的终端的表面设置焊球凸点（600）。本发明的圆片级封装方法能够使封装结构与后段工艺的引脚节距相匹配，同时能够使晶圆厂发挥其先进的制程工艺将IC芯片的尺寸做得更小。

主权项

一种硅基圆片级扇出封装方法，包括以下工艺步骤：提供带有阵列排布的IC芯片（200）的IC圆片（A2），在所述IC芯片（200）的电极（210）上形成垂直电极（210）的金属柱/金属块阵列；将完成金属柱/金属块阵列的IC圆片（A2）的背面减薄并切割成单颗的带有若干个金属柱/金属块（300）的IC芯片（200）；提供载体圆片（A1），将IC芯片（200）通过贴片胶（700）与载体圆片（A1）粘合；用塑封料（400）塑封IC芯片（200）、金属柱/金属块（300）和贴片胶（700），并减薄形成塑封层（410），金属柱/金属块（300）的端面露出塑封层（410）；在露出塑封层（410）的金属柱/金属块（300）的端面设置再布线金属层（500），在所述再布线金属层（500）的终端的表面设置焊球凸点（600）；将完成封装的载体圆片（A1）减薄，并切割成单颗的硅基圆片级扇出封装结构。