[发明专利]具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法

摘要

本发明提供了一种具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置包括：缓冲膜，其形成在基板上；氧化物半导体层，其具有第一长度的宽度并且形成在缓冲膜上；栅极绝缘膜，其具有第二长度的宽度并且形成在氧化物半导体层上；栅电极，其具有第三长度的宽度并且形成在栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，其形成在设置有栅电极的基板的整个表面；源电极和漏电极，其形成在层间绝缘膜上并且连接到氧化物半导体层；钝化膜，其形成在设置有源电极和漏电极的基板的整个表面上；以及像素电极，其形成在钝化膜上并且连接到漏电极。第一长度大于第二长度并且第二长度大于第三长度。

主权项

1.一种平板显示装置，所述平板显示装置具有氧化物薄膜晶体管，所述平板显示装置包括；缓冲膜，所述缓冲膜形成在基板上；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层具有第一长度的宽度并且形成在所述缓冲膜上，其中，所述氧化物半导体层包括金属化的源极区域和金属化的漏极区域；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜具有第二长度的宽度并且通过对栅极绝缘材料层进行干法蚀刻而形成在所述氧化物半导体层上；栅电极，所述栅电极具有第三长度的宽度并且通过对栅电极材料层进行湿法蚀刻而形成在所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜形成在所述基板的整个表面上并且位于所述栅电极上；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极形成在所述层间绝缘膜上并且连接到所述氧化物半导体层；钝化膜，所述钝化膜形成在所述基板的整个表面上并且位于所述源电极和漏电极上；以及像素电极，所述像素电极形成在所述钝化膜上并且连接到所述漏电极，其中，所述第一长度大于所述第二长度并且所述第二长度大于所述第三长度，并且其中，所述栅极绝缘膜包括没有与所述栅电极交叠而与所述氧化物半导体层的所述金属化的源极区域和所述金属化的漏极区域交叠的尾部。