[发明专利]一种可实现低位错密度的高效铸锭半熔工艺在审
| 申请号： | 201310724647.4 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104726934A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 李鹏廷;王峰;谭毅;张建帅;熊华江;任世强 | 申请（专利权）人： | 青岛隆盛晶硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 266234 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于多晶硅铸锭领域，特别涉及一种可实现低位错密度的高效铸锭半熔工艺。本发明包括装料抽真空，加氩气升压，加热使硅料熔化，晶体长晶，退火保温及冷却降温，装料阶段，首先在石英坩埚内底部铺上一层碎单晶或碎多晶；在熔化阶段以0.5～1cm/h的速率提升隔热笼，以保证碎单晶或碎多晶不熔化。该工艺过程可以保证硅料自顶部向底部依次缓慢熔化，得到较为平整的固液界面，水平方向温度一致且竖直方向温度梯度均匀，且保证熔化掉一些难熔化的杂质硬质颗粒，减少其造成的位错。采用本发明工艺得到的铸锭位错密度显著降低，晶粒大小都在6～8mm，同时太阳能电池片的光电转换效率从17.2%提高到了17.5%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 低位 密度 高效 铸锭 工艺 | ||
【主权项】：
一种可实现低位错密度的高效铸锭半熔工艺，包括装料抽真空，加氩气升压，加热使硅料熔化，晶体长晶，退火保温及冷却降温，其特征在于装料阶段，首先在石英坩埚内底部铺上一层碎单晶或碎多晶；在熔化阶段以0.5～1cm/h的速率提升隔热笼，以保证碎单晶或碎多晶不熔化。
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