[发明专利]一种单分子层/多分子层二硫化钼薄膜的制备方法有效
申请号: | 201310719694.X | 申请日: | 2013-12-23 |
公开(公告)号: | CN103695873A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 向勇;张晓琨;尹从明;贾枫;臧亮 | 申请(专利权)人: | 向勇 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12;C01G39/06;B82Y30/00;H01B13/00 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 杨琪 |
地址: | 250013 山东省济*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种单分子层/多分子层二硫化钼薄膜的制备方法,将基片进行亲水性处理,然后浸入浓度为0.01mol/L-0.5mol/L的钼离子的溶液,取出,将基片浸入漂洗液A中30秒至30分钟,取出,再浸入硫化钠浓度在0.01mol/L-0.5mol/L的含硫离子的溶液15秒至5分钟,取出;将基片浸入漂洗液B中30秒至30分钟,取出,干燥样品,或重复前述步骤数次后干燥样品,样品完全干燥后,将其在惰性气氛下或惰性气体与气态硫混合气氛下退火。本发明所述的制备方法具有成本低、操作简单、重现性好、引入杂质少、易于实现批量化生产制造的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 单分子层 分子 二硫化钼 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种单分子层/多分子层二硫化钼薄膜的制备方法,其特征是,包括步骤如下:(1)将基片进行亲水性处理:将基片置于沸腾的食人鱼洗液中10‑30分钟,然后在大量去离子水中清洗;(2)浸入含有钼离子的溶液:配制浓度为0.01mol/L‑0.5mol/L的钼离子的溶液,将步骤(1)清洗后的基片浸入含有钼离子的溶液中15秒至5分钟,取出;(3)漂洗:将基片浸入漂洗液A中30秒至30分钟,取出,漂洗液A为二甲基甲酰胺、或水、或乙醇、或丙酮、或水与乙醇的任意比例混合液、或水与甲醇的任意比例混合液;(4)浸入含有硫离子的溶液:配制硫化钠浓度在0.01mol/L‑0.5mol/L的含硫离子的溶液,将基片浸入含有硫离子的溶液中15秒至5分钟,取出;(5)漂洗:将基片浸入漂洗液B中30秒至30分钟,取出,漂洗液B为水、或乙醇、或甲醇、或水与乙醇的任意比例混合液、或水与甲醇的任意比例混合液;(6)干燥样品,或重复(2)‑(5)步骤数次后干燥样品,样品完全干燥后,将其在惰性气氛下或惰性气体与气态硫混合气氛下退火。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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