[发明专利]一种单分子层/多分子层二硫化钼薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310719694.X 申请日: 2013-12-23
公开(公告)号: CN103695873A 公开(公告)日: 2014-04-02
发明(设计)人: 向勇;张晓琨;尹从明;贾枫;臧亮 申请(专利权)人: 向勇
主分类号: C23C18/12 分类号: C23C18/12;C01G39/06;B82Y30/00;H01B13/00
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 杨琪
地址: 250013 山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 单分子层 分子 二硫化钼 薄膜 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种单分子层/多分子层二硫化钼薄膜的制备方法,其特征是,包括步骤如下:

(1)将基片进行亲水性处理:将基片置于沸腾的食人鱼洗液中10-30分钟,然后在大量去离子水中清洗;

(2)浸入含有钼离子的溶液:配制浓度为0.01mol/L-0.5mol/L的钼离子的溶液,将步骤(1)清洗后的基片浸入含有钼离子的溶液中15秒至5分钟,取出;

(3)漂洗:将基片浸入漂洗液A中30秒至30分钟,取出,漂洗液A为二甲基甲酰胺、或水、或乙醇、或丙酮、或水与乙醇的任意比例混合液、或水与甲醇的任意比例混合液;

(4)浸入含有硫离子的溶液:配制硫化钠浓度在0.01mol/L-0.5mol/L的含硫离子的溶液,将基片浸入含有硫离子的溶液中15秒至5分钟,取出;

(5)漂洗:将基片浸入漂洗液B中30秒至30分钟,取出,漂洗液B为水、或乙醇、或甲醇、或水与乙醇的任意比例混合液、或水与甲醇的任意比例混合液;

(6)干燥样品,或重复(2)-(5)步骤数次后干燥样品,样品完全干燥后,将其在惰性气氛下或惰性气体与气态硫混合气氛下退火。

2.根据权利要求1所述的一种单分子层/多分子层二硫化钼薄膜的制备方法,其特征是,步骤(1)所述的基片为钠钙玻璃、石英、Si片、或Si+SiO2基片。

3.根据权利要求1所述的一种单分子层/多分子层二硫化钼薄膜的制备方法,其特征是,步骤(2)所述的钼离子的溶液溶质为氯化钼、双-(环戊二烯)-二氯化钼、或乙酰丙酮钼;溶剂为二甲基甲酰胺、水、乙醇、丙酮、0.01-10mol/L的硫酸水溶液、0.01-8mol/L盐酸水溶液、或者水与乙醇的任意比例混合液、或水与甲醇的任意比例混合溶液。

4.根据权利要求1所述的一种单分子层/多分子层二硫化钼薄膜的制备方法,其特征是,步骤(4)所述的含硫离子的溶液,溶质为硫化钠,溶剂为水与甲醇任意比例的混合液。

5.根据权利要求1所述的一种单分子层/多分子层二硫化钼薄膜的制备方法,其特征是,步骤(5)所述的退火气氛气压选100Torr至800Torr,退火温度选500℃至1400℃,退火时间10至300分钟。

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