[发明专利]一种用于分析硅片体内金属沾污的测试方法在审
| 申请号： | 201310718358.3 | 申请日： | 2013-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733337A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 冯泉林;闫志瑞;赵而敬;李宗峰;盛方毓;程凤伶;孙媛 | 申请（专利权）人： | 有研新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88;G01N23/22 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于分析硅片体内金属沾污的测试方法，包括以下步骤：(1)清洗硅片，去除硅片表面的颗粒和金属，然后将硅片载入氧化炉炉腔；(2)在高温、氩气和氧气的混合气氛下，使硅片表面生长氧化层，生长温度为1000～1100℃，形成氧化层的厚度为1000～1500(3)使用表面颗粒激光分析仪测定硅片表面颗粒，分析表面缺陷的分布；(4)使用扫描电镜对颗粒聚集区域进行分析，测试缺陷成分，并对沾污进行定性判断。本发明通过热处理过程中，在硅片表面生长氧化层，使得体内金属向硅片表面扩散，在硅片表面／氧化层界面处聚集形成缺陷团聚，从而间接测试金属沾污分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 分析 硅片 体内 金属 沾污 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种用于分析硅片体内金属沾污的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)清洗硅片，去除硅片表面的颗粒和金属，然后将硅片载入氧化炉炉腔；(2)在高温、氩气和氧气的混合气氛下，使硅片表面生长氧化层，生长温度为1000～1100℃，形成氧化层的厚度为1000～1500(3)使用表面颗粒激光分析仪测定硅片表面颗粒，分析表面缺陷的分布；(4)使用扫描电镜对颗粒聚集区域进行分析，测试缺陷成分，并对沾污进行定性判断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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