[发明专利]TEM 样品载网支持膜及其制备方法、TEM 样品分析方法在审
| 申请号： | 201310705738.3 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104730291A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 于会生;段淑卿;陈柳;赵燕丽;郭志蓉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20;G01Q30/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TEM样品载网支持膜及其制备方法、TEM样品分析方法。其中，所述TEM样品载网支持膜至少包括：承载组件，所述承载组件中设置有镂空区域，所述镂空区域中包括多个镂空部；碳膜，覆盖于所述镂空区域上；其中，至少一个所述镂空部上覆盖的碳膜中设置有一个样品孔。所述TEM样品载网支持膜的碳膜上设置的样品孔适于在进行TEM分析时，避免TEM样品受到碳膜的影响，同时能很牢固的吸附在碳膜上，并得到碳膜足够的支撑力。 | ||
| 搜索关键词： | tem 样品 支持 及其 制备 方法 分析 | ||
【主权项】：
一种TEM样品载网支持膜，其特征在于，所述TEM样品载网支持膜至少包括：承载组件，所述承载组件中设置有镂空区域，所述镂空区域中包括多个镂空部；碳膜，覆盖于所述镂空区域上；其中，至少一个所述镂空部上覆盖的碳膜中设置有一个样品孔。
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