[发明专利]TEM 样品载网支持膜及其制备方法、TEM 样品分析方法在审
| 申请号： | 201310705738.3 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104730291A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 于会生;段淑卿;陈柳;赵燕丽;郭志蓉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20;G01Q30/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tem 样品 支持 及其 制备 方法 分析 | ||
1.一种TEM样品载网支持膜，其特征在于，所述TEM样品载网支持膜至少包括：
承载组件，所述承载组件中设置有镂空区域，所述镂空区域中包括多个镂空部；
碳膜，覆盖于所述镂空区域上；
其中，至少一个所述镂空部上覆盖的碳膜中设置有一个样品孔。
2.根据权利要求1所述的TEM样品载网支持膜，其特征在于：所述承载组件还包括支撑环，所述镂空区域为位于所述支撑环环内，且与所述支撑环相连的金属网。
3.根据权利要求1所述的TEM样品载网支持膜，其特征在于：所述镂空部为100μm×100μm的方格。
4.根据权利要求1所述的TEM样品载网支持膜，其特征在于：所述样品孔为直径为7μm～10μm的圆孔。
5.根据权利要求1所述的TEM样品载网支持膜，其特征在于：多个所述镂空部上覆盖的碳膜中设置有所述样品孔，每个镂空部中的所述样品孔的大小相同。
6.根据权利要求1所述的TEM样品载网支持膜，其特征在于：所述碳膜厚度为25nm～30nm的纯碳膜。
7.一种如权利要求1至6中任一项所述的TEM样品载网支持膜的制备方法，其特征在于，至少包括：
提供所述承载组件，其中所述镂空区域上覆盖有完整的碳膜；
将所述承载组件放入聚焦离子束工艺机台中；
利用聚焦离子束工艺在至少一个所述镂空部上覆盖的碳膜中打一个洞以形成所述样品孔。
8.根据权利要求7所述的TEM样品载网支持膜的制备方法，其特征在于：所述聚焦离子束工艺中，设置电压为2Kv～5Kv，电流为0.12nA～0.36nA。
9.根据权利要求7所述的TEM样品载网支持膜的制备方法，其特征在于：在所述聚焦离子束工艺中，设置聚焦离子束的轰击区域为直径为7μm～10μm的圆形区域，且进行所述聚焦离子束工艺的时间为30s～50s。
10.一种TEM样品分析方法，其特征在于，至少包括：
利用如权利要求7所述的TEM样品载网支持膜的制备方法制备TEM样品载网支持膜；
从所述聚焦离子束工艺机台中取出所述TEM样品载网支持膜；
提供TEM样品，所述TEM样品包括位于所述TEM样品中间的分析目标区域；
将所述TEM样品置于所述样品孔边缘的碳膜上，其中所述分析目标区域位于所述样品孔上方。
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