[发明专利]一种射频滤波电路和静电夹盘在审
| 申请号： | 201310705604.1 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733363A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 梁洁;叶如彬 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L23/60;H03H7/09 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种射频滤波电路和静电夹盘，其中，所述射频滤波电路至少包括，第一电感线圈和第二电感线圈，所述第二电感线圈与所述第一电感线圈上的中间抽头连接，所述第一电感线圈在工作时产生驻波效应，所述中间抽头位于所述驻波的电压最低处；其中，所述第一电感线圈用于限制第一频率的射频能量，所述第二电感线圈用于限制第二频率的射频能量，所述第一频率高于第二频率。本发明提供的射频滤波电路能够充分地屏蔽第一频率的射频能量，提高了射频滤波器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 滤波 电路 静电 | ||
【主权项】：
一种射频滤波电路，其特征在于，至少包括，第一电感线圈和第二电感线圈，所述第二电感线圈与所述第一电感线圈上的中间抽头连接，所述第一电感线圈在工作时产生第一驻波效应，所述中间抽头位于第一驻波电压的最低处；其中，所述第一电感线圈用于限制第一频率的射频能量，所述第二电感线圈用于限制第二频率的射频能量，所述第一频率高于第二频率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
